O material SiO2/ZrO2/C-graphite (SZC) foi preparado pelo método sol-gel apresentando duas composições, designadas por: (a) SZC30 (SiO2= 50%, ZrO2= 20%, C= 30%) e (b) SZC20 (SiO2 =60%, ZrO2= 20%, C= 20%) em % m. A estrutura do material foi investigada por difração de raios X (XRD), microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução (HR-TEM) e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X (XPS). A condutividade elétrica dos discos prensados destes materiais foi 4 e 18 S cm-1 para SZC20 e SZC30, e a área superficial específica (determinado pelo método BET) dos compósitos carbono cerâmico foi 45 e 12 m² g-1, respectivamente. Um filme fino de hexacianoferrato(II) de cobre foi formado in situ na superfície do material contendo 30 % (em massa) de grafite (SZC30). A espessura do filme foi estimada como sendo 110 nm. O potencial médio para o processo redox foi dependente da concentração de eletrólito suporte na faixa de 0,1 a 1,0 mol L-1 de KCl e a resistência de transferência de carga, determinada por espectroscopia de impedância eletroquímica (EIS), foi de 23,8 ohm cm².
