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Low temperature synthesis of CdSiO3 nanostructures

Descreve-se a síntese de nanoestruturas de CdSiO3 cristalino como fase única a 580ºC; ao que sabemos, esta é a mais baixa temperatura de formação observada até o presente para este composto. A formação da fase desejada ocorre somente a partir de de 580ºC, já que a 570ºC os picos de difração estão deslocados para menores ângulos em relação ao padrão JCPDS 85-0310. A fonte de silício influencia diretamente a morfologia do material: Na2SiO3 leva à formação de nanopartículas na forma de agulhas, ao passo que sílica mesostruturada de alta área superficial leva a partículas coralóides. A difratometria de raios X em baixo ângulo mostra que o caráter mesosestruturado da sílica precursora não se mantém no CdSiO3 resultante. A microscopia eletrônica de varredura sugere que, neste caso, haja uma transição da morfologia esférica do precursor para a morfologia em forma de agulhas do material obtido a partir de Na2SiO3. A área superficial do precursor de sílica utilizado tem influência direta na formação de CdSiO3, pois o uso de sílica comercial de menor área superficial não resulta no produto desejado.


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