Materiais do tipo BiMeVOX são muito atrativos para aplicações em baixas temperaturas quando a condutividade iônica for o parâmetro determinante. A ocorrência de muitos tipos de substituições foi confirmada para numerosos íons Me, dentre os quais, existe um grande interesse no estudo de materiais BiCuVOX. O objetivo deste estudo foi realizar o imageamento das barreiras de potencial em uma amostra de material BiCuVOX. A amostra foi sinterizada 4 h a 750 °C e apresentou alta densidade. Imagens da superfície topográfica e de microscopia de força elétrica (EFM) foram obtidas simultaneamente em um microscópio de varredura por sonda. Os experimentos EFM mostraram um mapa da distribuição do campo elétrico na superfície do material BiCuVOx. A formação da barreira de potencial foi observada e tanto a largura quanto a altura foram medidas.
BiCuVOx; EFM; barreira de potencial
